Реєстраційний номер
0216U007050,
0115U004534
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кладько Василь Петрович,
Дата реєстрації
23-03-2016
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Розроблено устаткування для різки зливків монокристалів антимоніду індію та полірування виготовлених пластин. Розроблено два базових технологічних процеси (для планарного та меза типу)виготовлення фотодіодів. Для цих процесів розроблені деталізовані технологічні маршрути, виготовлені фотошаблони та прописані всі технологічні операції виготовлення фотоприймачів.Виготовлено іонне джерело для імплантації іонів берилію та проведено експерименти по формуванню p-n після імплантації іонів берилію та магнію. Розроблено технологічну операцію відпалу імплантованих структур. Показано, що при відсутності захисного шару, та при температурах відпалу більших за 4000С відбувається збагачення поверхні атомами Sb.
Опис продукції
Розроблено устаткування для різки зливків монокристалів антимоніду індію та полірування виготовлених пластин. Розроблено два базових технологічних процеси (для планарного та меза типу)виготовлення фотодіодів. Для цих процесів розроблені деталізовані технологічні маршрути, виготовлені фотошаблони та прописані всі технологічні операції виготовлення фотоприймачів. Виготовлено іонне джерело для імплантації іонів берилію та проведено експерименти по формуванню p-n після імплантації іонів берилію та магнію. Розроблено технологічну операцію відпалу імплантованих структур.
Автори роботи
Гудименко О.Й.
Корбутяк Д.В.
Мельник В.П.
Оберемок О.С.
Попов В.Г.
Романюк Б.М.
Сапон С.В.
Сафрюк Н.В.
Сукач А.А.
Телега В.М.
Тетьоркін В.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
