Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U007009, 0117U007006 , Науково-дослідна робота Назва роботи Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення Назва етапу роботи Керівник роботи Ніколенко Андрій Сергійович, Дата реєстрації 21-12-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено пошук оптимальних параметрів синтезу наноструктур оксиду цинку (ZnO) на підкладках р-типу нітриду галію (GaN). Досліджено морфологію, структурні, електронні та оптичні властивості наноструктур ZnO, отриманих методами гідротермічного синтезу та вирощуванням з парової фази. Досліджено вплив часу перемішування прекурсорів на властивості нанониток ZnO, вирощених гідротермічним методом. Встановлено, що метод вирощування з парової фази дає змогу вирощувати нано- і мікроструктури ZnO з кращою адгезією до підкладки порівняно з гідротермічним методом. Методом скануючої мікро-КРС спектроскопії із субмікронною просторовою роздільною здатністю досліджено розподіл структурних та коливних властивостей в окремих нанонитках ZnO. Методом інфрачервоної спектроскопії відбивання досліджено оптичні та структурні властивості багатошарових легованих структур GaN, вирощених на підкладках сапфіру методом молекулярно-пучкової епітаксії. Опис продукції Розробка спрямована на вирішення однієї із актуальних проблем сучасного матеріалознавства, а саме - створення на основі нанорозмірних структур оксиду цинку (ZnO) новітніх приладів для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення. Пропоноване поєднання наноструктур n-типу ZnO та шарів p-типу нітриду галію (GaN) в одній гетероструктурі дозволяє реалізувати світлодіодну структуру без використання дороговартісного матеріалу GaN з n-типом електропровідності, та одночасно дозволяє оминути проблеми, пов'язані зі складністю одержання стабільної діркової провідності в ZnO, якістю гетероінтерфейсів та наявністю міжзеренних границь в плівкових структурах ZnO, а отже відкриває нові можливості для науки і техніки, однак водночас, потребує детального дослідження та аналізу фізичних процесів в таких системах. Автори роботи Бойко М.І. Коломис О.Ф. Насєка В.М. Пилипенко Н.А. Рарата С.В. Стрельчук В.В. Циканюк Б.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити