Звіт по науково-дослідній роботі. Ніколенко Андрій Сергійович. Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення

Реєстраційний номер

0217U007009, 0117U007006 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Ніколенко Андрій Сергійович,

Дата реєстрації

21-12-2017

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис етапу

Проведено пошук оптимальних параметрів синтезу наноструктур оксиду цинку (ZnO) на підкладках р-типу нітриду галію (GaN). Досліджено морфологію, структурні, електронні та оптичні властивості наноструктур ZnO, отриманих методами гідротермічного синтезу та вирощуванням з парової фази. Досліджено вплив часу перемішування прекурсорів на властивості нанониток ZnO, вирощених гідротермічним методом. Встановлено, що метод вирощування з парової фази дає змогу вирощувати нано- і мікроструктури ZnO з кращою адгезією до підкладки порівняно з гідротермічним методом. Методом скануючої мікро-КРС спектроскопії із субмікронною просторовою роздільною здатністю досліджено розподіл структурних та коливних властивостей в окремих нанонитках ZnO. Методом інфрачервоної спектроскопії відбивання досліджено оптичні та структурні властивості багатошарових легованих структур GaN, вирощених на підкладках сапфіру методом молекулярно-пучкової епітаксії.

Опис продукції

Розробка спрямована на вирішення однієї із актуальних проблем сучасного матеріалознавства, а саме - створення на основі нанорозмірних структур оксиду цинку (ZnO) новітніх приладів для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення. Пропоноване поєднання наноструктур n-типу ZnO та шарів p-типу нітриду галію (GaN) в одній гетероструктурі дозволяє реалізувати світлодіодну структуру без використання дороговартісного матеріалу GaN з n-типом електропровідності, та одночасно дозволяє оминути проблеми, пов'язані зі складністю одержання стабільної діркової провідності в ZnO, якістю гетероінтерфейсів та наявністю міжзеренних границь в плівкових структурах ZnO, а отже відкриває нові можливості для науки і техніки, однак водночас, потребує детального дослідження та аналізу фізичних процесів в таких системах.

Автори роботи

Бойко М.І.
Коломис О.Ф.
Насєка В.М.
Пилипенко Н.А.
Рарата С.В.
Стрельчук В.В.
Циканюк Б.І.

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-02