Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0402U002364, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-06-2002 Статус Запланована Назва роботи Композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в халькогенідних склоподібних напівпровідниках потрійної системи Ge-Sb-S Здобувач Кавецький Тарас Степанович, Керівник Луців Р.В. Опонент Блецкан Д.І. Опонент Половинко І.І. Опис Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН). Дослідити композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в ХСН потрійної системи Ge-Sb-S та відшукати адекватні аналітичні співвідношення для їх інтерпретації. Методами дослідження є методи оптичної спектрофотометрії та метод вимірювання мікротвердості по Віккерсу. Встановлено ефект радіаційно-індукованого потемніння, який містить динамічну та статичну складові, є максимальним в ХСН, збагачених Ge, і повністю відсутнім в ХСН, збагачених Sb. Концепція вільного об'єму є найбільш адекватною для інтерпретації спостережуваних явищ. Сферою використання є ІЧ техніка, оптоелектроніка. Дата реєстрації 2002-06-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити