Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0402U002364, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.ф.-м.н., 01.04.10, Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

19-06-2002

Статус

Запланована

Назва роботи

Композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в халькогенідних склоподібних напівпровідниках потрійної системи Ge-Sb-S

Здобувач

Кавецький Тарас Степанович,

Керівник Луців Р.В.
Опонент Блецкан Д.І.
Опонент Половинко І.І.

Опис

Радіаційно-індуковані явища в халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН). Дослідити композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ в ХСН потрійної системи Ge-Sb-S та відшукати адекватні аналітичні співвідношення для їх інтерпретації. Методами дослідження є методи оптичної спектрофотометрії та метод вимірювання мікротвердості по Віккерсу. Встановлено ефект радіаційно-індукованого потемніння, який містить динамічну та статичну складові, є максимальним в ХСН, збагачених Ge, і повністю відсутнім в ХСН, збагачених Sb. Концепція вільного об'єму є найбільш адекватною для інтерпретації спостережуваних явищ. Сферою використання є ІЧ техніка, оптоелектроніка.

Додано в НРАТ

2020-04-04