Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0407U004553, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.ф.-м.н., 01.04.10, Фізика напівпровідників і діелектриків

Дата захисту

26-10-2007

Статус

Запланована

Назва роботи

Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6

Здобувач

Герман Іванна Іванівна,

Керівник Косяченко Леонід Андрійович
Опонент Лашкарьов Георгій Вадимович
Опонент Марянчук Павло Дмитрович

Опис

Досліджено фізичні процеси, що визначають електричні, оптичні, фотоелектричні характеристики діодів на основі Hg3In2Te6. У спектральному діапазоні 0,4-1,7 мкм знайдені показник заломлення та коефіцієнт екстинції. Перенос заряду в Au-Hg3In2Te6 і Ni-Hg3In2Te6 діодах описано теорією Саа-Нойса-Шоклі з урахуванням процесів у діоді Шотткі. Основним механізмом переносу заряду в структурі ITO/Hg3In2Te6 є надбар'єрне проходження електронів. Пояснено експериментальні спектри фоточутливості діодів.

Додано в НРАТ

2020-04-04