Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 8
НДДКР ОК
I-1-20 Монокристали нітриду галію GaN: отримання під високим тиском, структура, властивості
Керівник: Туркевич Володимир Зіновійович. I-1-20 Монокристали нітриду галію GaN: отримання під високим тиском, структура, властивості. (Етап: Склад, структура та властивості. Термодинаміка двокомпонентної системи Ga-N в умовах високих температур та тисків. Термодинаміка системи Fe-Ga-N в умовах високих температур та тисків. Оптимізація кристалізації GaN.). Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля Національної академії наук України. № 0223U004882
НДДКР ОК
Структурні, електронні та оптичні властивості нітриду галію з функціональними катіонними комплексами Mn-Mgk і центрами заліза
Керівник: Циканюк Богдан Ігорович. Структурні, електронні та оптичні властивості нітриду галію з функціональними катіонними комплексами Mn-Mgk і центрами заліза. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0218U100075
НДДКР РК
Структурні, електронні та оптичні властивості нітриду галію з функціональними катіонними комплексами Mn-Mgk і центрами заліза
Керівник: Циканюк Богдан Ігорович. Структурні, електронні та оптичні властивості нітриду галію з функціональними катіонними комплексами Mn-Mgk і центрами заліза. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0118U006176
НДДКР ОК
Встановлення фізичних механізмів збудження молекул кисню у функціональних наносистемах для застосування у медицині. Перший рік виконання проекту
Керівник: Чехун Василь Федорович, Коломис Олександр Федорович. Встановлення фізичних механізмів збудження молекул кисню у функціональних наносистемах для застосування у медицині. Перший рік виконання проекту. (Етап: ). Відділення цільової підготовки Київського національного університету імені Тараса Шевченка при Національній академії наук України. № 0218U003426
НДДКР ОК
Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення
Керівник: Ніколенко Андрій Сергійович. Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0217U007009
НДДКР ОК
Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі
Керівник: Насєка Юрій Миколайович. Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0217U004894
НДДКР ОК
Новітні наноструктри для систем безпеки
Керівник: Стрельчук Віктор Васильович. Новітні наноструктри для систем безпеки. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U008317
НДДКР ОК
Розробка і оптимізація технології отримання масивних, тонкоплівкових та наноструктурованих матеріалів на омнові сполук систем Pb-Bi(Sb)-Te для термоелектричних перетворювачів енергії.
Керівник: Криськов Цезарій Андрійович. Розробка і оптимізація технології отримання масивних, тонкоплівкових та наноструктурованих матеріалів на омнові сполук систем Pb-Bi(Sb)-Te для термоелектричних перетворювачів енергії.. (Етап: ). Кам’янець-Подільський національний університет імені Івана Огієнка. № 0215U002265
Знайдено документів: 8

Оновлено: 2026-10-27


Роздрукувати цю сторінку