Пошук академічних текстів

Керівник: Бєляєв Олександр Євгенійович. Напівпровідникові матеріали з наноструктурованими поверхнями для нових засобів зв’язку, інфрачервоного бачення та інформаційних технологій. (Етап: Напівпровідникові матеріали з наноструктурованими поверхнями для нових засобів зв’язку, інфрачервоного бачення та інформаційних технологій). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0225U001247

Керівник: Мамикін Сергій Васильович. Розробка та впровадження нечутливого до пилу датчика диму на основі плазмон-поляритонного фотодетектора. (Етап: Виготовлення, тестування та впровадження датчика диму на основі ППФД). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0224U033020

Керівник: Мельник Віктор Павлович. Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки. (Етап: Створення базових технологій формування напівпровідникових матеріалів і структур для нано- та оптоелектроніки). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0224U002739

Керівник: Мамикін Сергій Васильович. Розробка та впровадження нечутливого до пилу датчика диму на основі плазмон-поляритонного фотодетектора. (Етап: Розробка і виготовлення оптимізованих ППФД та електронної схеми їх підключення з контролем температури). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0224U000264

Керівник: Індутний Іван Захарович. Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. Етап 2. Дослідження морфологічних та оптичних характеристик експериментальних зразків ППН з корельованим рельєфом. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0222U002223

Керівник: Індутний Іван Захарович. Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. Етап 2. Дослідження морфологічних та оптичних характеристик експериментальних зразків ППН з корельованим рельєфом. Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0122U000791

Керівник: Данько Віктор Андрійович. Нові плазмонні наноматеріали на основі латерально-впорядкованих структур благородних металів для точного експрес-аналізу високомолекулярних сполук методом спектроскопії поверхнево-підсиленого раманівського розсіювання світла. 2 етап: Виготовлення експериментальних зразків підкладок з уточненими характеристиками нанопорожнин та вивчення їх морфологічних а також оптичних характеристик.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0221U101544

Керівник: Індутний Іван Захарович. Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. 1 Етап: Розробка методів формування періодичних плазмонних наноструктур (ППН) з корельованим рельєфом та виготовлення експериментальних зразків.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0221U100360

Керівник: Індутний Іван Захарович. Розробка процесів формування періодично впорядкованих плазмонних наноструктур методом інтерференційної фотолітографії на основі халькогенідних напівпровідників, виготовлення експериментальних зразків та дослідження їх характеристик. 1 Етап: Розробка методів формування періодичних плазмонних наноструктур (ППН) з корельованим рельєфом та виготовлення експериментальних зразків.. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0120U102292

Керівник: Данько Віктор Андрійович. Нові плазмонні наноматеріали на основі латерально-впорядкованих структур благородних металів для точного експрес-аналізу високомолекулярних сполук методом спектроскопії поверхнево-підсиленого раманівського розсіювання світла. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0219U102201