Пошук академічних текстів

Керівник: Бєляєв Олександр Євгенійович. Нові плазмонні та фононні явища і технології для приладів нано- та оптоелектроніки. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0223U001414

Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович. Пошук та створення перспективних напівпровідникових матеріалів і функціональних структур для нано- та оптоелектроніки. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0222U001900

Сумарюк Олександр Васильович. Високоміцні композити на основі кремнеземистих і алюмосилікатних модифікаторів та методи їх діагностики : Кандидат фізико-математичних наук : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2021-12-17; Статус: Захищена; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. – Чернівці, 0421U104047.

Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U005168

Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технологічних процесів виготовлення фотодіодних структур антимоніду індію. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U005167

Керівник: Кладько Василь Петрович. ІФН-2017/1. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U002299

Керівник: Кладько Василь Петрович. Розроблення і створення високороздільних рентгенівських методів і обладнання для сертифікації нанорозмірних матеріалів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0218U003441

Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U001911

Керівник: Кладько Василь Петрович. Розроблення і створення високороздільних рентгенівських методів і обладнання для сертифікації нанорозмірних матеріалів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U001745

Керівник: Кладько Василь Петрович. Розробка технології та створення фоточутливих структур на основі InSb, зокрема фоточутливих елементів фотодіоду ФД-301. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U007050