Як користуватися пошуком
Знайдено документів: 7
НДДКР ОК
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю понад 80 Лм/Вт
Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович. Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю понад 80 Лм/Вт. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U001867
НДДКР ОК
Розроблення гетероструктур на основі AllnGaAsP з активними наношарами для високоефективних червоних та оранжевих світлодіодів з використанням МОС-гідридної технології та впровадження їх у виробництво
Керівник: Круковський Семен Іванович. Розроблення гетероструктур на основі AllnGaAsP з активними наношарами для високоефективних червоних та оранжевих світлодіодів з використанням МОС-гідридної технології та впровадження їх у виробництво. (Етап: ). Науково-виробниче підприємство "Карат". № 0214U003348
НДДКР ОК
"Дослідження особливостей формування каскадних гетероструктур нового покоління на основі складних азотовміщуючих сполук А3В5 методом МОС-гідридної епітаксії"
Керівник: Круковський Семен Іванович. "Дослідження особливостей формування каскадних гетероструктур нового покоління на основі складних азотовміщуючих сполук А3В5 методом МОС-гідридної епітаксії". (Етап: ). Науково-виробниче підприємство "Карат". № 0214U003347
НДДКР ОК
Моделювання та оптимізація тунельних переходів з гігантським магнетоопором
Керівник: Новіков Євген Іванович. Моделювання та оптимізація тунельних переходів з гігантським магнетоопором. (Етап: ). Державний науково-дослідний центр "Фонон". № 0214U003346
НДДКР ОК
"Дослідження особливостей формування каскадних гетероструктур нового покоління на основі складних азотовміщуючих сполук А3В5 методом МОС-гідридної епітаксії"
Керівник: Круковський Семен Іванович. "Дослідження особливостей формування каскадних гетероструктур нового покоління на основі складних азотовміщуючих сполук А3В5 методом МОС-гідридної епітаксії". (Етап: ). Науково-виробниче підприємство "Карат". № 0213U001718
НДДКР ОК
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт.
Керівник: Круковський Семен Іванович. Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю більш як 60 Лм/Вт.. (Етап: ). Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0212U002453
НДДКР ОК
Розроблення промислової технології виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань та впровадження їх у виробництво
Керівник: Круковський Семен Іванович. Розроблення промислової технології виготовлення тандемних гетероструктур для фотовольтаїки методом газофазної епітаксії з металоорганічних з'єднань та впровадження їх у виробництво. (Етап: ). Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0212U000445
Знайдено документів: 7

Оновлено: 2026-10-28


Роздрукувати цю сторінку