Пошук академічних текстів

Керівник: Костильов В.П.. Створення та впровадження сучасного контрольно-перевірочного устаткування для проведення приймально-здавальних випробувань модулів мобільної сонячної акумулюючої станції. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0220U000539

Керівник: Костильов В.П.. Розроблення і створення еталонних засобів для метрологічного забезпечення робіт з напівпровідникової фотоенергетики. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0217U007291

Керівник: Костильов В.П.. Розроблення і створення фотоелектричних модулів для сонячних електростанцій побутового призначення. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0217U007290

Керівник: Конакова Р.В.. Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U002288

Керівник: Конакова Р.В.. Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U003186

Керівник: Конакова Р.В.. Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U010324

Керівник: Литовченко Володимир Григорович. Електричні, оптичні та адсорбційні властивості тонкоплівкових структур з напівпровідниковими нановключеннями. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0216U003844

Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U005449

Керівник: Шеремет Володимир Миколайович. Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U005448

Керівник: Бєляєв Олександр Євгенович. Вплив мікрохвильового випромінювання на процеси масопереносу, формування і перебудови дефектних структур в напівпровідникових і керамічних матеріалах. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0213U001005