Пошук академічних текстів

Керівник: Венгер Євген Федорович. Фізико-хімічні явища в напівпровідниках, вуглецевих нанокомпозитах і гетероструктурах, вплив на них технології виготовлення і зовнішніх дій. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0221U102481

Керівник: Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович. Розробка і створення діагностичного комплексу для тестування мікрохвильових діодів на основі широкозонних напівпровідників. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U002545

Охріменко Ольга Борисівна. Модифікація фізичних властивостей структур оксид/карбід кремнію. : д.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2016-09-07; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0516U000696.

Виноградов Анатолій Олегович. Механізми струмопереносу в омічних контактах до кремнієвих мікрохвильових діодів : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем : дата захисту 2015-04-08; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0415U001766.

Керівник: Конакова Раїса Василівна, Власенко Олександр Іванович. Розроблення методів дослідження контактних систем потужних світлодіодів з використанням гетероструктур тринітридів третьої групи. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U000609

Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення і створення діагностичного комплексу для тестування мікрохвильових діодів на основі широкозонних напівпровідників. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0215U007139

Керівник: Конакова Раїса Василівна, Власенко Олександр Іванович. Розроблення методів дослідження контактних систем потужних світлодіодів з використанням гетероструктур тринітридів третьої групи. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U005471

Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U005449

Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення і створення діагностичного комплексу для тестування мікрохвильових діодів на основі широкозонних напівпровідників.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U008831

Керівник: Конакова Раїса Василівна. Розроблення і створення діагностичного комплексу для тестування мікрохвильових діодів на основі широкозонних напівпровідників.. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U008830